用途
*用於高壓、高速開關(guān)應用   

■特征:

*低正向壓降                                   

*較小的總電容                                 *用於片式封裝        

*較短的反向恢複時間                           *有效圖形數(shù) 90000 只左右

芯片尺寸：280μm×280μm      壓焊區(qū)尺寸：φ120μm    

芯片厚度：180±10μm  

 鋸片槽寬度：40μm      金屬層：正面:Al  2.3±10μm，背面:Au  1.4±10μm

電特性(Ta=25℃)

參 數(shù) 名 稱
 符 號
 測 試 條 件
 較 小
 較 大
 典型值
 單位
 
反向電壓
 VR
 IR=0.1mA
 80
  
 130
 V
 
正向壓降
 VF（1）
 IF=10mA
  
 1.0
 0.67
 V
 
VF（2）
 IF=100mA
  
 1.2
 0.92
 V
 
反向漏電流
 IR（1）
 VR=20V
  
 25
  
 nA
 
IR（2）
 VR=75V
  
 1
  
 μA
 
總電容
 CT
 VR=0, f=1MHZ
  
 3.0
 2.0
 PF
 
反向恢複時間
 trr
 IF=IR=10mA  Irr=0.1×IR
  
 4.0
  
 ns
 

深圳市斯達特來電子科技有限公司是俄羅斯LBBJX公司在中國的辦事處。LBBJX公司依托俄羅斯聯(lián)邦科研機構(gòu)及微電子廠的產(chǎn)業(yè)基礎，不斷設計研發(fā)各種集成電路IC及各種分立器件芯片。是芯片設計、研發(fā)、生產(chǎn)為一體的**企業(yè)，具有軟件設計開發(fā)及芯片生產(chǎn)的綜合能力。           
   經(jīng)營的產(chǎn)品有:穩(wěn)壓電路芯片、運算放大器芯片、比較器電路芯片、低壓差電路芯片、 電話機電路芯片、控制及轉(zhuǎn)換電路芯片、時基電路芯片、存儲器電路芯片、LED驅(qū)動電路芯片、數(shù)字邏輯電路芯片、接口電路芯片、精密基準電壓芯片 汽車**電路芯片、達林頓三極管芯片、高頻三極管芯片、各種功率三極管芯片、開關(guān)三極管芯片 、肖特基二極管芯片、整流管二極管芯片、快恢復二極管芯片、開關(guān)二極管芯片、穩(wěn)壓二極管芯片、雪崩二極管芯片、MOS場效應管芯片、可控硅芯片、IGBT芯片等.
   公司經(jīng)營理念：以研發(fā)為主體，以市場為導向，以質(zhì)量為**，以誠信為根本。我們真誠地希望與各生產(chǎn)企業(yè)、貿(mào)易公司建立友好、互利的合作關(guān)系，攜手尋找商機、運用商機,共同發(fā)展！