電子束蒸發(fā)鍍膜的特點(diǎn)　　

北京泰科諾科技有限公司自2003年成立以來，一直專注于真空設(shè)備的研發(fā)、制造，集真空鍍膜設(shè)備、真空應(yīng)用設(shè)備等相關(guān)設(shè)備及工藝的研發(fā)、制造、銷售、服務(wù)于一體的高新技術(shù)企業(yè)。主營(yíng)產(chǎn)品蒸發(fā)鍍膜機(jī)，磁控濺射鍍膜機(jī)，電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)，多弧離子濺射鍍膜機(jī)，熱絲CVD設(shè)備，裝飾鍍膜機(jī)，硬質(zhì)涂層設(shè)備等。

電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)

電子束蒸發(fā)鍍制TiO2薄膜，采用下圖所示的離子束輔助電子束蒸發(fā)的INTEGRITY-39全自動(dòng)光學(xué)鍍膜系統(tǒng)。

1.冷卻水進(jìn)口;2.冷卻水出口;3.坩堝;4.束流線圈;5.電子束發(fā)射;6.加熱燈;7.基片架;8.電機(jī);9.監(jiān)控片;10.離子源

鍍制樣品電子槍工作電壓為10 kV，電流為200 A，真空室沉積溫度為145～155℃。膜料選用純度為99.99%的黑色顆粒狀Ti2O3，采用CC-105冷陰極離子束進(jìn)行輔助沉積，沉積時(shí)真空室充入純度為99.99%的O2作為反應(yīng)氣體，同時(shí)使用1179A型MKS質(zhì)量流量計(jì)控制反應(yīng)氣體O2的流量，基底為直徑25 mm的圓形K9玻璃。

　鍍制時(shí)用機(jī)械泵和擴(kuò)散泵將真空度抽至6.5×10-4Pa時(shí)，設(shè)定自動(dòng)鍍制程序。當(dāng)基底被加熱到沉積溫度150℃時(shí)，離子源開始轟擊基底，能量控制在60～90 eV，時(shí)間10 min。然后自動(dòng)啟動(dòng)電子槍加熱蒸發(fā)膜料，沉積薄膜，沉積速率0.38～0.42 nm/s，薄膜沉積到設(shè)計(jì)厚度440 nm時(shí)，程序自動(dòng)關(guān)閉電子槍，完成鍍制。

鍍膜后真空室自然冷卻到室溫取出樣品，電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)多少錢一臺(tái)，用Lambda900(測(cè)試范圍為175～3 300 nm)分光光度計(jì)進(jìn)行樣品TiO2的光譜測(cè)試，采用Macleod軟件包絡(luò)法計(jì)算TiO2薄膜的實(shí)際厚度，消光系數(shù)和折射率。

對(duì)真空室通入不同流量的高純氧氣，研究不同的真空度對(duì)TiO2的成膜質(zhì)量、折射率、吸收系數(shù)的影響。

在較高的真空度下用離子源輔助蒸發(fā)沉積TiO2薄膜時(shí)，真空度隨通氧量的變化如下表所列。

隨著充入真空室內(nèi)的氧分子被電離成氧離子充分與Ti2O3蒸氣分子反應(yīng)，使得Ti2O3分解所失的氧得到補(bǔ)充，從而生成的薄膜中TiO2成分比較純凈，但是如果通氧量不足或Ti2O3與O2反應(yīng)不充分，則會(huì)形成高吸收的亞氧化鈦薄膜TinO2n-1(n=1，2，……，電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)，10)。隨著通氧量的增加，TiO2蒸氣分子在蒸發(fā)上升過程中與氧分子的碰撞幾率增大而損失了能量，使沉積在基底表面的TiO2動(dòng)能減小，影響沉積薄膜的附著力和致密性。

對(duì)于光學(xué)薄膜而言，采用離子源輔助能夠增加基底表面膜層分子的動(dòng)能，不僅對(duì)薄膜的折射率有明顯的影響，而且能使薄膜致密性及耐潮濕性得以提高，同時(shí)薄膜在基底上的附著力也有明顯好轉(zhuǎn)

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電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)原理

北京泰科諾科技有限公司自2003年成立以來，一直專注于真空設(shè)備的研發(fā)、制造，集真空鍍膜設(shè)備、真空應(yīng)用設(shè)備等相關(guān)設(shè)備及工藝的研發(fā)、制造、銷售、服務(wù)于一體的高新技術(shù)企業(yè)。主營(yíng)產(chǎn)品蒸發(fā)鍍膜機(jī)，磁控濺射鍍膜機(jī)，電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)，多弧離子濺射鍍膜機(jī)，熱絲CVD設(shè)備，裝飾鍍膜機(jī)，硬質(zhì)涂層設(shè)備等。

電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)

原理：在高真空下，電子槍燈絲加熱后發(fā)射熱電子，被加速陽極加速，獲得很大的動(dòng)能轟擊到的蒸發(fā)材料上，把動(dòng)能轉(zhuǎn)化成熱使蒸發(fā)材料加熱氣化，而實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)鍍膜。電子束蒸發(fā)源由發(fā)射電子的熱陰極、電子加速較和作為陽極的鍍膜材料組成。電子束蒸發(fā)源的能量可高度集中，使鍍膜材料局部達(dá)到高溫而蒸發(fā)。通過調(diào)節(jié)電子束的功率，可以方便的控制鍍膜材料的蒸發(fā)速率，特別是有利于高熔點(diǎn)以及高**屬和化合物材料。

技術(shù)指標(biāo)：

可在高真空下蒸發(fā)不同厚度的各種金屬與氧化物薄膜，廣泛應(yīng)用于物理，電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)哪家好，生物，化學(xué)，材料，電子等領(lǐng)域。

蒸鍍薄膜種類：Au， Ti， Cr， Ag，電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)供應(yīng)商， Al， Cu， FeNi， AuGe， Pt， Pb， In， Mo， SiO2等

極限真空：5E-8 Torr（ 30分鐘從 atm 抽到 5E-6 Torr ）

薄膜均勻性：±4% （ 4英寸 ）

裝片：小于6英寸的任意規(guī)格的樣品若干

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電子束蒸發(fā)設(shè)備及優(yōu)化工藝參數(shù)

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電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)

電子束蒸發(fā)設(shè)備及優(yōu)化工藝參數(shù)

選用CHA-600型電子束蒸發(fā)臺(tái)。它主要由真空鍍膜室、真空系統(tǒng)和真空測(cè)量?jī)x器的一部分構(gòu)成。真空鍍膜室主要由鐘罩、球面行星轉(zhuǎn)動(dòng)基片架、基片烘烤裝置、磁偏轉(zhuǎn)電子槍、蒸發(fā)檔板及加熱裝置等構(gòu)件所組成;真空系統(tǒng)主要由機(jī)械泵的冷凝泵組成，選用冷凝泵可以更容易地抽到高真空狀態(tài)，避免了油擴(kuò)散泵返油而產(chǎn)生污染真空室的現(xiàn)象;用離子規(guī)來測(cè)量真空度。坩堝選用石墨坩堝，避免了坩堝與Al反應(yīng)生成化合物而污染Al膜，坩堝的位置處在行星架的球心位置，從而**成膜厚度的均勻性。蒸鍍過程中膜厚的測(cè)量選用石英晶體膜厚監(jiān)控儀。電子束蒸發(fā)鍍Al的典型工藝參數(shù)為：真空度：2.6×10-4Pa;蒸發(fā)速率：20—25A/s;基片溫度：120°C;蒸距：1125px;蒸發(fā)時(shí)間：25min;電子槍電壓：9Kv;電子槍電流：0.2A。

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