干法清洗：

　　對于已經氫還原的MCP，因為二次電子發射層已經形成，清洗，如果采用化學清洗或濕法清洗容易造成對MCP電性能的破壞，刻蝕清洗機，并可能產生清洗介質對MCP的再次污染。因此氫還原后的MCP，一般選用干法清洗，主要包括等離子清洗、輝光放電、紫外清洗等清洗技術。

? ? ?半導體清洗機濕式清洗制程中，晶圓清洗機，主要應用項目包含晶圓清洗與濕式蝕刻兩項。至于臟污的來源，不外乎設備本身材料產生、現場作業員或制程工程師人體自身與動作的影響、化學材料或制程藥劑殘留或不純度的發生，以及制程反應產生物的結果，尤其是制程反應產生物一項，更成為制程污染主要來源。

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