Mask金屬掩膜版蝕刻加工和相關工藝

光掩膜(mask)資料: ?在半導體制造的整個流程中，其中一部分就是從版圖到wafer制造中間的一個過程，即光掩膜或稱光罩(mask)制造。這一部分是流程銜接的關鍵部分，是流程中造價很高的一部分，也是限制很小線寬的瓶頸之一。 ?光掩膜除了應用于芯片制造外，還廣泛的應用與像LCD，PCB等方面。常見的光掩膜的種類有四種，鉻版(chrome)、干版，凸版、液體凸版。主要分兩個組成部分，基板和不透光材料。基板通常是高純度，低反射率，低熱膨脹系數的石英玻璃。鉻版的不透光層是通過濺射的方法鍍在玻璃下方厚約0.1um的鉻層。鉻的硬度比玻璃略小，雖不易受損但有可能被玻璃所傷害。應用于芯片制造的光掩膜為高敏感度的鉻版。干版涂附的乳膠，硬度小且易吸附灰塵，不過干版還有包膜和**微顆粒干版，SMT錫膏網印板蝕刻，其中后者可以應用于芯片制造。(順便提一下，通常講的菲林即film，底片或膠片的意思，感光為微小晶體顆粒)。 ?在刻畫時，采用步進機刻畫(stepper)，其中有電子束和激光之分，激光束直接在涂有鉻層的4-9“ 玻璃板上刻畫，邊緣起點5mm，與電子束相比，其弧形更逼真，線寬與間距更小。光掩膜有掩膜原版(reticle mask，也有稱為中間掩膜，reticle作為單位譯為光柵)，用步進機重復將比例縮小到master maks上，應用到實際曝光中的為工作掩膜(working mask)，工作掩膜由master mask復制過來。石家莊貝爾電子科技有限公司的此項技術工藝**，受到許多顧客的**。

PCB線路板外層電路的蝕刻質量及先期存在的問題

? ?對蝕刻質量的基本要求就是能夠將除抗蝕層下面以外的所有銅層*去除干凈，止此而已。從嚴格意義上講，如果要**地界定，那么蝕刻質量**包括導線線寬的一致性和側蝕程度。由于目前腐蝕液的固有特點，不僅向下而且對左右各方向都產生蝕刻作用，所以側蝕幾乎是不可避免的。

? ?側蝕問題是蝕刻參數中經常被提出來討論的一項，它被定義為側蝕寬度與蝕刻深度之比，

? ?稱為蝕刻因子。在印刷電路工業中，它的變化范圍很寬泛，福建省蝕刻，從1：1到1：5。顯然，小的側蝕度或低的蝕刻因子是較令人滿意的。

? ?蝕刻設備的結構及不同成分的蝕刻液都會對蝕刻因子或側蝕度產生影響，或者用樂觀的話來說，可以對其進行控制。采用某些添加劑可以降低側蝕度。這些添加劑的化學成分一般屬于商業秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設備的結構問題，元器件框架蝕刻，后面的章節將專門討論。

? ?從許多方面看，蝕刻質量的好壞，早在印制板進入蝕刻機之前就已經存在了。因為印制電路加工的各個工序或工藝之間存在著非常緊密的內部聯系，沒有一種不受其它工序影響又不影響其它工藝的工序。許多被認定是蝕刻質量的問題，實際上在去膜甚至更以前的工藝中已經存在了。對外層圖形的蝕刻工藝來說，由于它所體現的“倒溪”現像比絕大多數印制板工藝都**，所以許多問題最后都反映在它上面。同時，光耦框架蝕刻，這也是由于蝕刻是自貼膜，感光開始的一個長系列工藝中的最后一環，之后，外層圖形即轉移成功了。環節越多，出現問題的可能性就越大。這可以看成是印制電路生產過程中的一個很特殊的方面。

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