碳化硅測試儀器

適用碳化硅二極管、IGBT模塊\MOS管等器件的時間參數測試。
主要技術參數：IGBT開關特性測試
開關時間測試條件
Ic：50A～1000A     Vce：200V～2000V
Vgs：-10V～＋20V  Rg：1R～100R可調(可選擇4檔及外接)
負載：感性負載阻性負載可切換
電感范圍：100uH，200uH，500uH，1000uH
電阻范圍：0.5R、1R、2R、4R
IGBT開關特性測試參數
開通延遲td(on): 20nS -10uS      
上升時間tr:    20nS -10uS
開通能量Eon：  0.1-1000mJ                 
關斷延遲時間td(off)：20 nS -10uS   
下降時間 tf： 20nS -10uS                    
關斷能量Eoff：0.1-1000mJ
二極管反向恢復特性測試
FRD測試條件：正向電流IF：50A～1000A                                                                                                                                 反向電壓 Vr：200V~2000V；-di/dt：100A/us～10000A/us   ；負載：感性負載可選
電感范圍：100uH，200uH，500uH，1000uH
FRD測試參數
反向恢復時間trr：20nS -2uS ；反向恢復電荷Qc：10nC~10uC；反向恢復電流Irm：50A~1000A反向恢復損耗  Erec：0.1mJ～1000mJ 國內唯 一能對二極管、IGBT模塊、MOS管等器件的時間參數實施測試的設備。

碳化硅測試儀器

陜西開爾文測控技術有限公司成立于2012年，位于西安市高新區新型工業園發展大道26號，注冊資金670萬，是國內***大功率新型半導體器件測試系統及測試技術服務的高新企業單位，致力于新型器件（SiC,GaN等）材料分析、元器件檢測、可靠性評測、系統功能驗證等服務。目前，測試系統及測試技術服務以深入國內大專院校、航天、航空、兵器、中船、電子行業等，尤其是電力設備、電動汽車、軌道交通領域的動力車組和運用大功率半導體器件進行設計、制造等行業，得到了廣泛的應用，以產品性價比高、可測器件種類多且參數齊全、測試精度高、速度快、保護性強、故障率低、軟件豐富、操作使用方便、售后服務及時周到。同時還承擔著同類進口產品的售后維修服務。公司自成立以來，以我們的技術強項和**產品的實力，獲得了7項軟件著作權登記證書、11項實用新型**，通過了陜西省民營科技企業認證、西安市民營科技企業認證、獲得了技術貿易資格認證、通過了ISO14001環境管理體系認證、OHSAS18001職業健康安全管理體系認證、ISO9001質量管理體系認證，通過了陜西省高新企業認證，并在2016年，以《高速特大功率半導體器件IGBT測試系統》列入陜西省科技廳戰略性新興產業重大產品項目，項目編號2016KTCQ01-31。