NR9-3000PY光刻膠

三、光刻膠涂覆（Photoresist Coating）

光刻膠涂覆通常的步驟是在涂光刻膠之前，先在900-1100度濕氧化。氧化層可以作為濕法刻蝕或B注入的膜版。作為光刻工藝自身的首先過程，一薄層的對紫外光敏感的有機高分子化合物，即通常所說的光刻膠，光刻膠PR1-1500A1，要涂在樣品表面(SiO2)。首先光刻膠被從容器中取出滴布到置于涂膠機中的樣品表面，(由真空負壓將樣品固定在樣品臺上)，樣品然后高速旋轉，轉速由膠粘度和希望膠厚度確定。在這樣的高速下，光刻膠PR1-1000A1，膠在離心力的作用下向邊緣流動。

涂膠工序是圖形轉換工藝中初的也是重要的步驟。涂膠的質量直接影響到所加工器件的缺陷密度。為了**線寬的重復性和接下去的顯影時間，同一個樣品的膠厚均勻性和不同樣品間的膠厚一致性不應**過±5nm(對于1.5um膠厚為±0.3%)。

光刻膠的目標厚度的確定主要考慮膠自身的化學特性以及所要圖形中線條的及間隙的微細程度。太厚膠會導致邊緣覆蓋或連通、小丘或田亙狀膠貌、使成品率下降。在MEMS中、膠厚(烤后)在0.5-2um之間，而對于特殊微結構制造，光刻膠，膠厚度有時希望1cm量級。在后者，旋轉涂膠將被鑄膠或等離子體膠聚合等方法取代。常規光刻膠涂布工序的優化需要考慮滴膠速度、滴膠量、轉速、環境溫度和濕度等，這些因素的穩定性很重要。

在工藝發展的早期，負膠一直在光刻工藝中占主導地位，隨著VLSI IC和2～5微米圖形尺寸的出現，負膠已不能滿足要求。隨后出現了正膠，光刻膠PR1-2000A1，但正膠的缺點是粘結能力差。

用正膠需要改變掩膜版的極性，這并不是簡單的圖形翻轉。因為用掩膜版和兩種不同光刻膠結合，在晶園表面光刻得到的尺寸是不一樣的，由于光在圖形周圍的衍射效應，使得用負膠和亮場掩膜版組合在光刻膠層上得到的圖形尺寸要比掩膜版上的圖形尺寸小。用正膠和暗場掩膜版組合會使光刻膠層上的圖形尺寸變大。

NR77-15000PY光刻膠光刻膠

光刻膠穩定性

化學穩定性：在正常儲存和操作條件下，在密閉容器中室溫穩定。

避免的條件: 火源、濕氣、過熱的環境。

不相容的其他材料: 強氧化劑。

光刻膠毒理資料

淡黃色液體，氣味微弱。引起皮膚、眼睛、粘膜和呼吸道的刺激。可以通過皮膚吸收而引起全身性的癥狀。液體是可燃的。

毒性數據

皮膚：可以通過皮膚吸收而引起全身性的癥狀，類似于吸入。長時間或重復接觸可引起輕度至中度的刺激或皮炎。

眼睛：引起眼睛發炎。

吸入：吸入時可能有害。引起呼吸道刺激。蒸氣可能導致困倦和頭暈。

攝食：吞食有害。

延遲效應：肝和腎損害，以及動物實驗中有報道血液和GU髓有影響。

光刻膠運輸標識及注意事項

標簽上標明的意思

R標識

R10 YI燃。

S標識

S16??遠離火源-禁止吸煙。

S 24?避免接觸皮膚。

S 33對靜電放電采取預防措施。

S 9??將容器保持在通風良好的地方。

水生毒性

通過自然環境中的化學、光化學和微生物降解來分解。一般不通過水解降解。300 ppm對水生生物是安全的。鹵化反應可能發生在水環境中。

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