同步SRAM S6R3216W1M

靜態隨機存取存儲器SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此靜態隨機存取存儲器SRAM具有較高的性能，功耗較小，適用于紐扣電池供電的高速和**低功耗的應用,如手持式掃描儀、掌上電腦、多功能蜂窩電話、機頂盒和WLAN等。
有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。

Density	Org.	Part number	Vdd(V)	Access Time	Package
32Mb	4Mx8	S6R3208W1M	1.65~3.6	8/10/12/15ns	48FBGA
32Mb	2Mx16	S6R3216W1M	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	48FBGA
16Mb	2Mx8	S6R1608W1M	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	44TSOP2 48FBGA
16Mb	2Mx8	S6R1608V1M	3.3V	8/10ns	44TSOP2 48FBGA
16Mb	2Mx8	S6R1608C1M	5V	10ns	44TSOP2 48FBGA
16Mb	1Mx16	S6R1616W1M	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	48TSOP1 48FBGA
16Mb	1Mx16	S6R1616V1M	3.3V	8/10ns	48TSOP1 48FBGA
16Mb	1Mx16	S6R1616C1M	5V	10ns	48TSOP1 48FBGA
8Mb	1Mx8	S6R8008W1A	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	44TSOP2 48FBGA
8Mb	1Mx8	S6R8008C1A	5V	10ns	44TSOP2 48FBGA
8Mb	512Kx16	S6R8016W1A	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	44TSOP2 48FBGA
8Mb	512Kx16	S6R8016C1A	5V	10ns	44TSOP2 48FBGA
4Mb	512Kx8	S6R4008W1A	1.65~3.6	8/10/12/15ns	44TSOP2 36FBGA
4Mb	512Kx8	S6R4008V1A	3.3V	8/10ns	44TSOP2 36FBGA
4Mb	512Kx8	S6R4008C1A	5V	10ns	44TSOP2 36FBGA
4Mb	256Kx16	S6R4016W1A	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	44TSOP2 48FBGA
4Mb	256Kx16	S6R4016V1A	3.3V	8/10ns	44TSOP2 48FBGA
4Mb	256Kx16	S6R4016C1A	5V	10ns	44TSOP2 48FBGA
2Mb	256Kx8	S6R2008W1A	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	44TSOP2 36FBGA
2Mb	256Kx8	S6R2008V1A	3.3V	8/10ns	44TSOP2 36FBGA

      有限公司是英尚**有限公司旗下大陸子公司，成立于2007年，是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比較高的產品及方案。原廠供貨，交期**，價格優勢，專業服務。  
    產品簡介
    1. Low power SRAM (低功耗靜態隨機存儲器)1Mbit~8Mbit.
    2. SPI SRAM(串行靜態隨機存儲器)64Kbit~512Kbit.
    3. PSRAM[Pseudo SRAM,UtRAM] (虛擬靜態隨機存儲器)4Mbit~64Mbit.
    4. Cellular RAM(偽靜態隨機存儲器)4Mbit~64Mbit.
    5.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存儲器)256Kbit~1Gbit
    6. MCP 512Mbit+256Mbit,1Gbit+512Mbit,64Mbit+32Mbit,128Mbit+64Mbit,32Mbit+16Mbit
    7. Mobile SDRAM/DDR(低功耗SDRAM/DDR)128Mbit~512Mbit