存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和較終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器*的位置存入和取出信息。
構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。
半導(dǎo)體器件和磁性材料是構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材料的存儲(chǔ)元是存儲(chǔ)器中較小的存儲(chǔ)單位，可存儲(chǔ)一個(gè)二進(jìn)制代碼。由若干個(gè)存儲(chǔ)元組成一個(gè)存儲(chǔ)單元，然后再由許多存儲(chǔ)單元組成一個(gè)存儲(chǔ)器。 一個(gè)存儲(chǔ)器包含許多存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元可存放一個(gè)字節(jié)。每個(gè)存儲(chǔ)單元的位置都有一個(gè)編號(hào)，即地址，一般用十六進(jìn)制表示。一個(gè)存儲(chǔ)器中所有存儲(chǔ)單元可存放數(shù)據(jù)的總和稱為它的存儲(chǔ)容量。假設(shè)一個(gè)存儲(chǔ)器的地址碼由20位二進(jìn)制數(shù)（即5位十六進(jìn)制數(shù)）組成，則可表示220，即1M個(gè)存儲(chǔ)單元地址。每個(gè)存儲(chǔ)單元存放一個(gè)字節(jié)，則該存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量為1KB。

Density	Org.	Part number	Vdd(V)	Access Time	Package
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32Mb	2Mx16	S6R3216W1M	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	48FBGA
16Mb	2Mx8	S6R1608W1M	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	44TSOP2 48FBGA
16Mb	2Mx8	S6R1608V1M	3.3V	8/10ns	44TSOP2 48FBGA
16Mb	2Mx8	S6R1608C1M	5V	10ns	44TSOP2 48FBGA
16Mb	1Mx16	S6R1616W1M	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	48TSOP1 48FBGA
16Mb	1Mx16	S6R1616V1M	3.3V	8/10ns	48TSOP1 48FBGA
16Mb	1Mx16	S6R1616C1M	5V	10ns	48TSOP1 48FBGA
8Mb	1Mx8	S6R8008W1A	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	44TSOP2 48FBGA
8Mb	1Mx8	S6R8008C1A	5V	10ns	44TSOP2 48FBGA
8Mb	512Kx16	S6R8016W1A	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	44TSOP2 48FBGA
8Mb	512Kx16	S6R8016C1A	5V	10ns	44TSOP2 48FBGA
4Mb	512Kx8	S6R4008W1A	1.65~3.6	8/10/12/15ns	44TSOP2 36FBGA
4Mb	512Kx8	S6R4008V1A	3.3V	8/10ns	44TSOP2 36FBGA
4Mb	512Kx8	S6R4008C1A	5V	10ns	44TSOP2 36FBGA
4Mb	256Kx16	S6R4016W1A	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	44TSOP2 48FBGA
4Mb	256Kx16	S6R4016V1A	3.3V	8/10ns	44TSOP2 48FBGA
4Mb	256Kx16	S6R4016C1A	5V	10ns	44TSOP2 48FBGA
2Mb	256Kx8	S6R2008W1A	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	44TSOP2 36FBGA
2Mb	256Kx8	S6R2008V1A	3.3V	8/10ns	44TSOP2 36FBGA
2Mb	256Kx8	S6R2008C1A	5V	10ns	44TSOP2 36FBGA
2Mb	128Kx16	S6R2016W1A	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	44TSOP2 48FBGA
2Mb	128Kx16	S6R2016V1A	3.3V	8/10ns	44TSOP2 48FBGA
2Mb	128Kx16	S6R2016C1A	5V	10ns	44TSOP2 48FBGA
1Mb	128Kx8	S6R1008W1A	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	32sTSOP1 36FBGA
1Mb	128Kx8	S6R1008C1A	5V	10ns	32sTSOP1 36FBGA
1Mb	64Kx16	S6R1016C1A	5V	10ns	44TSOP2 48FBGA
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1Mb	64Kx16	S6R1016V1A	3.3V	8/10ns	44TSOP2 48FBGA
1Mb	128Kx8	S6R1008V1A	3.3V	8/10ns	32sTSOP1 36FBGA

      有限公司是英尚**有限公司旗下大陸子公司，成立于2007年，是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲(chǔ)器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價(jià)比較高的產(chǎn)品及方案。原廠供貨，交期**，價(jià)格優(yōu)勢(shì)，專業(yè)服務(wù)。  
    產(chǎn)品簡(jiǎn)介
    1. Low power SRAM (低功耗靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)1Mbit~8Mbit.
    2. SPI SRAM(串行靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)64Kbit~512Kbit.
    3. PSRAM[Pseudo SRAM,UtRAM] (虛擬靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)4Mbit~64Mbit.
    4. Cellular RAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)4Mbit~64Mbit.
    5.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存儲(chǔ)器)256Kbit~1Gbit
    6. MCP 512Mbit+256Mbit,1Gbit+512Mbit,64Mbit+32Mbit,128Mbit+64Mbit,32Mbit+16Mbit
    7. Mobile SDRAM/DDR(低功耗SDRAM/DDR)128Mbit~512Mbit