SRAM存儲器主要有一下特點：
1. 存儲容量： 存儲單元個數M×每單元位數N
2. 存取時間：從啟動讀(寫)操作到操作完成的時間
3. 存取周期：兩次獨立的存儲器操作所需間隔的較小時間
4. 平均故障間隔時間MTBF（可靠性）
5. 功耗：動態功耗、靜態功耗

存儲器主要用于存儲系統程序、用戶程序及工作數據。存放系統軟件的存儲器稱為系統程序存儲器，存放應用軟件的存儲器為用戶程序存儲器，存放工作數據的存儲器稱為數據存儲器，常用的存儲器有RAM,EPROM和EEPROM,RAM是一種可進行讀寫操作的隨機存儲器存放用戶程序，生成用戶數據區，存放在RAM中的用戶程序可方便地修改，RAM存儲器是一種高密度，低功耗，性價比高的半導體存儲器，可用鋰電池做備用電源，掉電時，可有效的保存存儲的信息EPROM EEPROM都是只讀存儲器，用這些類型存儲器固化系統管理程序和應用程序。

Density	Org.	Part Number	Vcc	Speed(ns)	Pkg(Pins)
32Mb	2Mx16	IS64WV204816BLL	2.4-3.6V	12	TSOP1(48),BGA(48)
32Mb	2Mx16	IS61WV204816ALL/BLL	1.65-3.6V	10,12	TSOP1(48),BGA(48)
16Mb	2Mx8	IS64WV20488BLL	2.4-3.6V	10	TSOP2(44),BGA(48)
16Mb	2Mx8	IS62WV20488ALL/BLL	1.65-3.6V	25,35	TSOP2(44),BGA(48)
16Mb	2Mx8	IS61WV20488ALL/BLL	1.65-3.6V	8,10,20	TSOP2(44),BGA(48)
16Mb	1Mx16	IS64WV102416DBLL	2.4-3.6V	12	TSOP1(48),BGA(48)
16Mb	1Mx16	IS64WV102416BLL	2.4-3.6V	10	TSOP1(48),BGA(48)
16Mb	1Mx16	IS61WV102416DALL/BLL	2.4~3.6	10	TSOP1(48),BGA(48)
16Mb	1Mx16	IS62WV102416ALL/BLL	1.65-3.6V	25,35	TSOP1(48),BGA(48)
16Mb	1Mx16	IS61WV102416ALL/BLL	1.65-3.6V	8,10,20	TSOP1(48),BGA(48)
16Mb	1Mx16	IS61WV102416EDALL/BLL	2.4~3.6	10	TSOP1(48),BGA(48)
16Mb	512Kx32	IS61WV51232ALL/BLL	1.65-3.6V	8,10,20	BGA(90)
8Mb	1Mx8	IS61WV10248ALL/BLL	1.65-3.6V	8,10,20	TSOP2(44),BGA(48)
8Mb	1Mx8	IS61WV10248EDBLL	2.4-3.6V	8,10,20	TSOP2(44),BGA(48)
8Mb	512Kx16	IS64WV51216EDBLL	2.4-3.6V	10	TSOP2(44),BGA(48)
8Mb	512Kx16	IS61WV51216ALL/BLL	1.65-3.6V	8,10,20	TSOP2(44),BGA(48)
8Mb	512Kx16	IS61WV51216EDALL/BLL	1.65-3.6V	8,10,20	TSOP2(44),BGA(48)
8Mb	256Kx32	IS61WV25632ALL/BLL	1.65-3.6V	8,10,20	BGA(90)
4Mb	512Kx8	IS61C5128AL	5V	10,12	SOJ(36),TSOP2(44)
4Mb	512Kx8	IS61C5128AS	5V	25ns	SOP(36),sTSOP1(32),TSOP2(32)
4Mb	512Kx8	IS61WV5128ALL/BLL	1.65-3.6V	8,10,20	SOJ(36),TSOP2(44),BGA(36)
4Mb	512Kx8	IS61WV5128EDBLL	2.4-3.6V	8,10	TSOP2(44),BGA(36)
4Mb	512Kx8	IS64WV5128EDBLL	2.4-3.6V	10	TSOP2(44),BGA(36)

      有限公司是英尚**有限公司旗下大陸子公司，成立于2007年，是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比較高的產品及方案。原廠供貨，交期**，價格優勢，專業服務。  
    產品簡介
    1. Low power SRAM (低功耗靜態隨機存儲器)1Mbit~8Mbit.
    2. SPI SRAM(串行靜態隨機存儲器)64Kbit~512Kbit.
    3. PSRAM[Pseudo SRAM,UtRAM] (虛擬靜態隨機存儲器)4Mbit~64Mbit.
    4. Cellular RAM(偽靜態隨機存儲器)4Mbit~64Mbit.
    5.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存儲器)256Kbit~1Gbit
    6. MCP 512Mbit+256Mbit,1Gbit+512Mbit,64Mbit+32Mbit,128Mbit+64Mbit,32Mbit+16Mbit
    7. Mobile SDRAM/DDR(低功耗SDRAM/DDR)128Mbit~512Mbit