靜態隨機存取存儲器SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此靜態隨機存取存儲器SRAM具有較高的性能，功耗較小，適用于紐扣電池供電的高速和**低功耗的應用,如手持式掃描儀、掌上電腦、多功能蜂窩電話、機頂盒和WLAN等。

有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。

Density	Org.	Part Number	Vcc	Speed(ns)	Pkg(Pins)

IS61WV1288EEBLL	2.4-3.6V	8,10	TSOP2(32),BGA(48),sTSOP1(32),SOJ(32.3)
1Mb	128Kx8	IS63WV1288DALL/DBLL	1.65-3.6V	8,10,12,20	TSOP2(32),BGA(48),sTSOP1(32),SOJ(32.3)
1Mb	128Kx8	IS64C1024AL	5V	15	SOJ(32.4),TSOP1(32)
1Mb	64Kx16	IS61C6416AL	5V	12ns	SOJ(44),TSOP2(44)
1Mb	64Kx16	IS61WV6416DBLL	2.4-3.6V	8,10,12	TSOP2(44),SOJ(44),BGA(48)
1Mb	64Kx16	IS61WV6416EEBLL	2.4-3.6V	8,10	TSOP2(44),SOJ(44),BGA(48)
1Mb	64Kx16	IS64WV6416BLL	2.5-3.6V	15	TSOP2(44),BGA(48)
1Mb	64Kx16	IS64WV6416EEBLL	2.4-3.6V	8,10	TSOP2(44),BGA(48)
1Mb	64Kx16	IS64C6416AL	4.5-5.5V	15	SOJ(44),TSOP2(44)
512Kb	32Kx16	IS61C3216AL	5V	12	SOJ(44),TSOP2(44)
512Kb	32Kx16	IS61WV3216DBLL	2.4-3.6V	8,10,12	TSOP2(44),BGA(48)

      有限公司是英尚**有限公司旗下大陸子公司，成立于2007年，是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比較高的產品及方案。原廠供貨，交期**，價格優勢，專業服務。  
    產品簡介
    1. Low power SRAM (低功耗靜態隨機存儲器)1Mbit~8Mbit.
    2. SPI SRAM(串行靜態隨機存儲器)64Kbit~512Kbit.
    3. PSRAM[Pseudo SRAM,UtRAM] (虛擬靜態隨機存儲器)4Mbit~64Mbit.
    4. Cellular RAM(偽靜態隨機存儲器)4Mbit~64Mbit.
    5.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存儲器)256Kbit~1Gbit
    6. MCP 512Mbit+256Mbit,1Gbit+512Mbit,64Mbit+32Mbit,128Mbit+64Mbit,32Mbit+16Mbit
    7. Mobile SDRAM/DDR(低功耗SDRAM/DDR)128Mbit~512Mbit