**市場

目前，光刻膠單一產品市場規模與海外成員公司營收規模相比較小，光刻膠僅為大型材料廠商的子業務。但由于光刻膠技術門檻高，就某一光刻膠子行業而言，僅有少數幾家供應商有產品供應。

由于光刻膠產品技術要求較高，光刻膠NR77-20000P，中國光刻膠市場基本由外資企業占據，國內企業市場份額不足40%，高分辨率的KrF和ArF光刻膠，其核心技術基本被日本和美國企業所壟斷，產品也基本出自日本和美國公司，包括陶氏化學、JSR株式會社、信越化學、東京應化工業、Fujifilm，以及韓國東進等企業。

而細化到半導體用光刻膠市場，國內企業份額不足30%，與**水平存在較大差距。**過80%市場份額掌握在日本住友、TOK、美國陶氏、美國futurrex等公司手中，國內公司中，蘇州瑞紅與北京科華實現了部分品種的國產化，但是整體技術水平較低，僅能進入8英寸集成電路生產線與LED等產線。

光刻膠

按感光樹脂的化學結構，光刻膠可分為光聚合型光刻膠、光分解型光刻膠和光交聯型光刻膠。在應用中，采用不同單體可以形成正、負圖案，并可在光刻過程中改變材料溶解性、抗蝕性等。

光聚合型光刻膠

烯類，在光作用下生成自由基，自由基再進一步引發單體聚合。

光分解型光刻膠

疊氮醌類化合物，經光照后，光刻膠PC4-6000，會發生光分解反應，由油溶性變為水溶性。

光交聯型光刻膠

聚乙烯醇月桂酸酯，光刻膠，在光的作用下，分子中的雙鍵打開，鏈與鏈之間發生交聯，形成一種不溶性的網狀結構從而起到抗蝕作用。

按曝光波長，光刻膠可分為紫外（300~450 nm）光刻膠、深紫外（160~280 nm）光刻膠、較紫外（EUV，13.5 nm）光刻膠、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X 射線光刻膠等。

按應用領域，光刻膠可分為PCB 光刻膠、LCD 光刻膠、半導體光刻膠等。PCB 光刻膠技術壁壘相對其他兩類較低，光刻膠NR26-12000P?，而半導體光刻膠代表著光刻膠技術的水平。

正負光刻膠

光刻膠分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經光照后變成可溶物質的即為正性膠。正膠的圖像與掩模板的圖像是一致的，故此叫正膠，利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。

一般來說線寬的用正膠，線窄的用負膠!?正性光刻膠比負性的精度要高，負膠顯影后圖形有漲縮，負性膠限制在2~3μm.，而正性膠的分辨力優于0.5μm?導致影響精度，正性膠則無這方面的影響。雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負性膠的分辨率，但是薄負性膠會影響孔。同種厚度的正負膠，在對于抗濕法和腐蝕性方面負膠更勝一籌，正膠難以企及。賽米萊德提供美國Futurrex的光刻膠的供應與技術參數。

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