NR9-3000PY

四、對準（Alignment）

光刻對準技術是曝光**個重要步驟作為光刻的三大核心技術之一，一般要求對準精度為較細線寬尺寸的 1/7---1/10。隨著光刻分辨力的提高 ，對準精度要求也越來越高 ，例如針對 45am線寬尺寸 ，光刻膠，對準精度要求在5am 左右。

受光刻分辨力提高的推動 ，光刻膠PR1-12000A，對準技術也經歷 迅速而多樣的發展 。從對準原理上及標記結 構分類 ，對準技術從早期的投影光刻中的幾何成像對準方式 ，包括視頻圖像對準、雙目顯微鏡對準等，一直到后來的波帶片對準方式 、干涉強度對準 、激光外差干涉以及莫爾條紋對準方式 。從對準信號上分 ，主要包括標記的顯微圖像對準 、基于光強信息的對準和基于相位信息對準。

光刻膠市場

**光刻膠市場擴增，對光刻膠的總需求不斷提升。據估計，2015年**光刻膠市場達73.6億美元，其中PCB光刻膠占比24.5%，LCD光刻膠占26.6%，半導體光刻膠占比24.1%。2010年到2015年期間，**光刻膠市場年復合增長率約為5.8%；據中國產業信息網數據，光刻膠ZPDC2-2000，2015年，PCB光刻膠、LCD光刻膠和半導體光刻膠的**市場增速均在5%左右。在下游產業的帶動下，江瀚咨詢預計**光刻膠市場規模在2022年可能突破100億美元。

5，顯影液

在已經曝光的硅襯底膠面噴淋顯影液，光刻膠IC1-1000，或將其浸泡在顯影液中，正膠是曝光區、而負膠是非曝光區的膠膜溶入顯影液，膠膜中的潛影顯現出來，形成三維圖像。

顯影完成后通常進行工藝線的顯影檢驗，通常是在顯微鏡下觀察顯影效果，顯影是否徹底、光刻膠圖形是否完好。

影響顯影的效果主要因素：

1，曝光時間，2前烘溫度和時間，3光刻膠膜厚，4顯影液濃度溫度，5顯影液的攪動情況。

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