NR77-20000P光刻膠

6，堅膜

堅膜也叫后烘，是為了去除由于顯影液的浸泡引起膠膜軟化、溶脹現象，能使膠膜附著能力增強，康腐蝕能力提高。堅膜溫度通常情況**前烘和曝光后烘烤的溫度 100-140度 10-30min，7，顯影檢驗，光刻膠鉆蝕、圖像尺寸變化、套刻對準不良、光刻膠膜損傷、線條是否齊、陡，針KONG、小島。

8刻蝕

就是將涂膠前所墊基的薄膜中沒有被光刻膠覆蓋和保護的那部分進行腐蝕掉，達到將光刻膠上的圖形轉移到下層材料的目的。濕法刻蝕，SIO2，AL， Poly-Si 等薄膜，干法腐蝕。

在光刻膠的生產上，我國主要生產PCB光刻膠，LCD光刻膠和半導體光刻膠生產規模較小，光刻膠， 2015年據統計我國光刻膠產量為9.75萬噸，其中中低端PCB光刻膠產值占比為94.4%，半導體和LCD光刻膠分分別占比1.6%和2.7%，嚴重依賴進口。

縱觀**市場，光刻膠專用化學品生產壁壘高，光刻膠PR1-12000A1，國產化需求強烈。 化學結構特殊、保密性強、用量少、純度要求高、生產工藝復雜、品質要求苛刻，生產、檢測、評價設備投資大，技術需要長期積累。

至今光刻膠專用化學品仍主要被被日本合成橡膠（JSR）、東京應化（TOK）、住友化學、美國杜邦、美國futurrex、德國巴斯夫等化工寡頭壟斷。

光刻膠介紹

光刻膠自1959年被發明以來一直是半導體核心材料，隨后被改進運用到PCB板的制造，并于20世紀90年代運用到平板顯示的加工制造。較終應用領域包括消費電子、家用電器、汽車通訊等。

光刻工藝約占整個芯片制造成本的35%，耗時占整個芯片工藝的40%~60%，是半導體制造中較核心的工藝。

以半導體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉移到襯底上，形成與掩膜版完全對應的幾何圖形。

光刻技術隨著IC集成度的提升而不斷發展。為了滿足集成電路對密度和集成度水平的更高要求，半導體用光刻膠通過不斷縮短曝光波長以極限分辨率，世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級別，光刻膠IC1-500，光刻膠的波長由紫外寬譜逐步至g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），光刻膠NR9-500PY，以及達到EUV(<13.5nm)線水平。

目前，半導體市場上主要使用的光刻膠包括 g 線、i 線、KrF、ArF四類光刻膠，其中，g線和i線光刻膠是市場上使用量較大的。KrF和ArF光刻膠核心技術基本被日本和美國企業所壟斷。

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